[发明专利]一种具有自生梯度结构的镁合金及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201910099219.4 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN109735752B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 王敬丰;蒋伟燕;余文轴;刘青山;刘秀英 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: C22C23/00 分类号: C22C23/00;C22C1/02;A61L27/04;A61L27/50;A61L27/58
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 张先芸
地址: 400044 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了一种具有自生梯度结构的镁合金及其制备方法和应用,所述具有自生梯度结构的镁合金主要由Mg和X两种元素组成。所述制备方法为:按组分配比,取原料放入耐热容器中;在保护气氛下,将所述耐热容器加热,待原料全部熔化成熔体,降温并静置保温;对熔体指定部位进行降温,控制熔体内部与表面产生温度梯度,使熔点高的第二相先凝固并聚集在铸锭表面形成耐蚀层,熔点低的Mg基体后凝固;铸锭冷却,得到具有自生梯度结构的镁合金材料。还公开了将具有自生梯度结构的镁合金用于生物医用领域的应用。本发明中的具有自生梯度结构的镁合金的表层由于第二相聚集形成了耐腐蚀层,降低了该镁合金的腐蚀速率,能够满足医用镁合金的耐腐蚀性能要求。
搜索关键词: 一种 具有 自生 梯度 结构 镁合金 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
1.一种具有自生梯度结构的镁合金,其特征在于,主要由Mg和X两种元素组成,在所述镁合金的表层具有Mg和X两种元素形成的第二相梯度结构;其中,所述X元素为与Mg元素能形成第二相且形成的第二相的熔点高于Mg的熔点的元素。
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