[发明专利]一种多孔Co@C纳米材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 201910099773.2 | 申请日: | 2019-01-31 |
公开(公告)号: | CN109847753B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 张金水;侯乙东;理解;安平 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | B01J23/75 | 分类号: | B01J23/75;B01J35/10;C01B3/04 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市闽*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明属于材料制备及光催化技术领域,具体涉及了一种多孔Co@C纳米材料及其制备方法和应用。本发明通过硬模板法合成出多孔Co@C纳米材料,其具有制备工艺简便,成本低,易于大规模工业化生产。相较于体相自然生长的纳米管状结构,其表面多孔结构,大大促进了激发态电子的转移和改善了表面产氢动力学行为,从而显著提高了光敏剂染料—醇—水体系的光催化产氢性能,在开发可持续绿色能源方面具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 co 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
1.一种多孔Co@C纳米材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将钴前驱物与碳前驱物在80 ℃下溶于水,搅拌2h,而后加入SiO2模板,所加入的SiO2质量与钴前驱物和碳前驱物的总质量比为1~8:1,继续加热搅拌时间为2 h;随后放入液氮进行降温,冷冻干燥;接着在管式炉氩气气氛中程序煅烧,第一阶段的煅烧温度为500~550 ℃,煅烧时间为1 h,第二阶段的煅烧温度为700~800 ℃,煅烧时间为2 h,得到Co@C与SiO2混合物;所述钴前驱物为CoCl2·6H2O、Co(CH3COO)2·4H2O或酞菁钴;碳前驱物为氰胺、二聚氰胺或三聚氰胺;(2)将Co@C与SiO2混合物,浸泡在1~4 M浓度的氟化氢铵溶液中12~36 h,离心,真空烘箱烘干,得到多孔Co@C纳米材料。
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