[发明专利]半导体测试系统及其测试方法在审
| 申请号： | 201910100813.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109870336A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 魏磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;G01R31/26;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体测试系统及其测试方法，提供一待测样品，所述待测样品包含待测试的目标区域；对所述待测样品进行研磨，形成预制样品，所述预制样品的厚度与单片晶圆厚度一致，所述目标区域的待测截面垂直于所述预制样品的厚度方向；在所述预制样品的两侧侧壁粘贴陪片晶圆，所述陪片晶圆的表面与所述预制样品的表面齐平；将所述陪片晶圆表面和所述预制样品的表面作为一个整体平面进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面；对所述待测截面进行测试，获取所述目标区域的电性和/或物体特征信息。上述半导体测试系统及其测试方法能够提高半导体测试结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 预制 目标区域 半导体测试系统 测试 待测样品 片晶 研磨 半导体测试 表面齐平 单片晶圆 厚度一致 物体特征 整体平面 圆表面 侧壁 电性 粘贴 垂直 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体测试方法，其特征在于，包括：提供一待测样品，所述待测样品包含待测试的目标区域；对所述待测样品进行研磨，形成预制样品，所述目标区域位于所述预制样品内，且所述预制样品的厚度与单片晶圆厚度一致，所述目标区域的待测截面垂直于所述预制样品的厚度方向，所述预制样品厚度方向上的表面为预制样品的侧壁；在所述预制样品的两侧侧壁粘贴陪片晶圆，所述陪片晶圆的厚度与所述预制样品厚度一致，所述陪片晶圆的表面与所述预制样品的表面齐平；将所述陪片晶圆表面和所述预制样品的表面作为一个整体平面进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面；将所述研磨后的陪片晶圆和预制样品整体作为测试样品，对所述待测截面进行测试，获取所述目标区域的电性和/或物理特征信息。
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