[发明专利]负载于钴片的ZnO纳米针与ZIF-67复合的光催化材料及其制备与应用有效
| 申请号： | 201910100897.8 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109675636B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 霍宇凝;杨玉萍;李慧帆;丁梦娜;罗柳林;邹泉;张子平;裴文凯;李和兴 | 申请（专利权）人： | 上海师范大学 |
| 主分类号： | B01J31/26 | 分类号： | B01J31/26;B01J35/10;A01N59/16;A01N25/10;A01P1/00 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种负载于钴片的ZnO纳米针与ZIF‑67复合的光催化材料及其制备与应用，属于光电催化材料制备技术应用领域。本负载于钴片的ZnO纳米针与ZIF‑67复合的光催化材料最外层为ZnO纳米针，所述ZnO纳米针底部生长ZIF‑67晶体，下层为均匀致密分布的Co |
||
| 搜索关键词： | 负载 zno 纳米 zif 67 复合 光催化 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种负载于钴片的ZnO纳米针与ZIF‑67复合的光催化材料，其特征在于，包括；最外层为ZnO纳米针，所述ZnO纳米针的底部生长ZIF‑67晶体，下层为均匀致密分布的Co3O4纳米孔隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海师范大学，未经上海师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910100897.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
