[发明专利]超大规模凝视型红外探测器拼接基板及其制备方法有效
申请号: | 201910102537.1 | 申请日: | 2019-02-01 |
公开(公告)号: | CN109786495B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 张敏;亢喆;韦书领;刘明;杨刚 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田卫平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种超大规模凝视型红外探测器拼接基板,包括:标准硅片、钝化膜层以及低阻金属层,其中,低阻金属层具体包括:对低阻金属层进行刻蚀形成的高精度拼接标记、导流结构以及一对低阻金属引线;钝化膜层设置于标准硅片上表面,一对低阻金属引线设置于钝化膜层上表面两侧处,高精度拼接标记设置于一对低阻金属引线之间的钝化膜层上表面,导流结构设置于一对低阻金属引线之间且没有高精度拼接标记的钝化膜层上表面;本发明通过制出高平整度的钝化膜层、高精度拼接标记、导流结构以及低阻值金属引线,提高凝视型红外探测器的拼接精度、有助于信号的低损输出,解决了现有技术中超大规模的红外探测器阵列难以制备的问题。 | ||
搜索关键词: | 超大规模 凝视 红外探测器 拼接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超大规模凝视型红外探测器拼接基板,其特征在于,包括:标准硅片、钝化膜层以及低阻金属层,其中,所述低阻金属层具体包括:对所述低阻金属层进行刻蚀形成的高精度拼接标记、导流结构以及一对低阻金属引线;所述钝化膜层设置于所述标准硅片上表面,所述一对低阻金属引线设置于所述钝化膜层上表面两侧处,所述高精度拼接标记设置于所述一对低阻金属引线之间的钝化膜层上表面,所述导流结构设置于所述一对低阻金属引线之间且没有所述高精度拼接标记的钝化膜层上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所,未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910102537.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的