[发明专利]超大规模凝视型红外探测器拼接基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910102537.1 申请日: 2019-02-01
公开(公告)号: CN109786495B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 张敏;亢喆;韦书领;刘明;杨刚 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 田卫平
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种超大规模凝视型红外探测器拼接基板,包括:标准硅片、钝化膜层以及低阻金属层,其中,低阻金属层具体包括:对低阻金属层进行刻蚀形成的高精度拼接标记、导流结构以及一对低阻金属引线;钝化膜层设置于标准硅片上表面,一对低阻金属引线设置于钝化膜层上表面两侧处,高精度拼接标记设置于一对低阻金属引线之间的钝化膜层上表面,导流结构设置于一对低阻金属引线之间且没有高精度拼接标记的钝化膜层上表面;本发明通过制出高平整度的钝化膜层、高精度拼接标记、导流结构以及低阻值金属引线,提高凝视型红外探测器的拼接精度、有助于信号的低损输出,解决了现有技术中超大规模的红外探测器阵列难以制备的问题。
搜索关键词: 超大规模 凝视 红外探测器 拼接 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种超大规模凝视型红外探测器拼接基板,其特征在于,包括:标准硅片、钝化膜层以及低阻金属层,其中,所述低阻金属层具体包括:对所述低阻金属层进行刻蚀形成的高精度拼接标记、导流结构以及一对低阻金属引线;所述钝化膜层设置于所述标准硅片上表面,所述一对低阻金属引线设置于所述钝化膜层上表面两侧处,所述高精度拼接标记设置于所述一对低阻金属引线之间的钝化膜层上表面,所述导流结构设置于所述一对低阻金属引线之间且没有所述高精度拼接标记的钝化膜层上表面。
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