[发明专利]自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法有效
| 申请号： | 201910102886.3 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109609907B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 耿照新;苏玥;吕晓庆;裴为华;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/18;C23C14/30;C23C14/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法，包括：利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)在硬基质纳米压印模板表面翻模，得到PDMS软模板；在基片表面旋涂下层胶并加热固化，在所述下层胶表面旋涂上层胶；将所述PDMS软模板覆盖所述上层胶表面，加热固化所述上层胶，并去除所述PDMS软模板，得到光栅结构；若所述上层胶为负胶，则曝光后烘，若所述上层胶为正胶，则不曝光；通过显影使所述基片上的上层胶和下层胶形成倒台结构；蒸发金属，通过剥离工艺剥离所述下层胶、上层胶及位于所述上层胶上的金属，形成金属纳米结构。 | ||
| 搜索关键词： | 上层 下层 制备金属纳米 加热固化 旋涂 压印 聚二甲基硅氧烷 金属纳米结构 纳米压印模板 剥离工艺 光栅结构 基片表面 蒸发金属 曝光 硬基质 翻模 负胶 后烘 胶和 去除 显影 正胶 剥离 金属 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种自吸纳米压印制备金属纳米结构的方法，包括以下步骤：/n利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)在硬基质纳米压印模板表面翻模，得到PDMS软模板；/n在基片表面旋涂下层胶并加热固化，在所述下层胶表面旋涂上层胶；/n将所述PDMS软模板覆盖所述上层胶表面，加热固化所述上层胶，并去除所述PDMS软模板，得到光栅结构；/n若所述上层胶为负胶，则曝光后烘，若所述上层胶为正胶，则不曝光；/n通过显影使所述基片上的上层胶和下层胶形成倒台结构；/n蒸发金属，通过剥离工艺剥离所述下层胶、上层胶及位于所述上层胶上的金属，形成金属纳米结构；/n其中，所述下层胶显影速率大于上层胶显影速率，所述下层胶的厚度大于蒸发金属的厚度。/n
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