[发明专利]存储器装置及用于形成存储组件的方法有效
| 申请号： | 201910103073.6 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110137347B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | A·雷达埃利;A·M·孔蒂;A·皮罗瓦诺 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及存储器装置及用于形成存储组件的方法。明确地说，描述用于楔形单元轮廓及制造的方法、系统及装置。存储器存储组件可含有多种硫族化物材料，且可包含楔形轮廓。举例来说，第一硫族化物材料可与第二硫族化物材料耦合。所述硫族化物材料中的每一者可进一步与导电材料(例如，电极)耦合。经由蚀刻工艺，所述硫族化物材料可成楔形(例如，阶梯式楔形)。脉冲可施加到所述楔形硫族化物材料，从而导致包含所述硫族化物材料的混合物的存储器存储组件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 用于 形成 存储 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其包括：存储组件，其包括第一硫族化物材料与不同于所述第一硫族化物材料的第二硫族化物材料的混合物，所述存储组件具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面具有比所述第一表面大的面积；第一电极，其与所述存储组件的所述第一表面耦合；以及第二电极，其与所述存储组件的所述第二表面耦合且经由所述存储组件与所述第一电极电子通信。
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