[发明专利]制备高性能金属卤化物钙钛矿薄膜的溶剂、方法及应用有效
| 申请号： | 201910103268.0 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109920939B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 王瑞瑶;闫天昊 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/56;H01L51/46;H01L51/48;H01L35/24;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制备高性能金属卤化物钙钛矿薄膜的溶剂、方法及应用，属于微电子技术领域。所述制备高性能金属卤化物钙钛矿薄膜的溶剂，按体积份数包括3份DMF和1～2份GBL。本发明能够有效的调控钙钛矿薄膜的形貌，提高器件的性能、效率及稳定性；用于工业化生产具有方法简便易行、成本低廉、可控性强等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 性能 金属 卤化物 钙钛矿 薄膜 溶剂 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制备高性能金属卤化物钙钛矿薄膜的溶剂，其特征在于，按体积份数包括3份DMF和1～2份GBL。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西交利物浦大学，未经西交利物浦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910103268.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：OLED显示面板及OLED显示装置
- 下一篇：显示背板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
