[发明专利]半导体工艺所用的方法有效
| 申请号： | 201910103532.0 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556292B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡承晏;吴仲强;黄泰维;锺鸿钦;李威缙;李达元;苏庆煌;庄媖涓;刘冠廷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 此处所述的实施例关于对半导体基板上的不同晶体管的金属栅极中所用的材料进行预沉积处理。在一实施例中，方法包括暴露第一装置的第一含金属层与第二装置的第二含金属层至反应物，以分别形成多个单层于第一含金属层与第二含金属层上。第一装置与第二装置位于基板上。第一装置包括第一栅极结构，且第一栅极结构包括第一含金属层。第二装置包括第二栅极结构，且第二栅极结构包括第二含金属层，而第一含金属层与第二含金属层不同。暴露第一含金属层与第二含金属层上的单层至氧化剂，以提供单层所用的羟基封端表面。之后形成第三含金属层于第一含金属层与第二含金属层上的单层的羟基封端表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 所用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺所用的方法，包括：/n暴露一第一装置的一第一含金属层与一第二装置的一第二含金属层至一反应物，以分别形成多个单层于该第一含金属层与该第二含金属层上，该第一装置与该第二装置位于一基板上，该第一装置包括一第一栅极结构，且该第一栅极结构包括该第一含金属层，该第二装置包括一第二栅极结构，且该第二栅极结构包括该第二含金属层，而该第一含金属层与该第二含金属层不同；/n暴露该第一含金属层与该第二含金属层上的该些单层至一氧化剂，以提供该第一含金属层与该第二含金属层上的该些单层所用的一羟基封端表面；以及/n形成一第三含金属层于该第一含金属层与该第二含金属层上的该些单层的该羟基封端表面上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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