[发明专利]快闪存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910104330.8 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111524980A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 恩凯特·库马;李家豪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种快闪存储器及其形成方法。此快闪存储器包括半导体基板、位于半导体基板上的浮栅极结构、覆盖浮栅极结构的侧壁及顶表面的栅极间介电层、以及位于栅极间介电层上的控制栅极。上述浮栅极结构包括位于半导体基板上的浮栅极介电层、位于浮栅极介电层上的一对介电间隔物，其中此对介电间隔物具有朝向彼此的倾斜侧壁、以及位于浮栅极介电层上，且位于此对介电间隔物之间的浮栅极。上述浮栅极具有一对尖端，此对尖端分别位于介电间隔物的倾斜侧壁上。本发明提供的快闪存储器及其形成方法，能够缩短快闪存储器抹除时间，改善快闪存储器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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