[发明专利]一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件

摘要

本发明涉及一种集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，将温度保护装置集成到Mosfet半导体器件内部，实现最高灵敏度的感知Mosfet半导体器件的温度变化，温度保护装置与Mosfet两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。

主权项

1.一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，包括框架本体区、载片基岛区、导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置，所述框架本体区和载片基岛区层叠设置，所述导电基盘、Mosfet芯片和温度保护装置均封装在所述载片基岛区内，所述Mosfet芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，其特征在于：所述散热区位于Mosfet芯片和温度保护装置正下方，所述散热区与Mosfet芯片下表面之间通过导电焊料层电连接，所述散热区与温度保护装置下表面之间通过导电焊料层电连接，所述Mosfet芯片与温度保护装置之间形成隔离，相互之间绝缘，无电性连接；还包括第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述第一导电焊盘、第二导电焊盘位于Mosfet芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，所述焊接区封装在载片基岛区内，所述引脚区从所述载片基岛区内向外延伸形成引脚，所述所述Mosfet芯片电性连接所述第一导电焊盘的焊接区，所述温度保护装置电性连接所述第二导电焊盘的焊接区。