[发明专利]一种上转换荧光增强衬底及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910104496.X 申请日: 2019-02-01
公开(公告)号: CN109781670B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 毛遂;潘玉勇;唐建国;王薇;王久兴;张淼荣 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552;G01N21/64;H01L31/0232;H01L31/0236;H01L31/055
代理公司: 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人: 郑立
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种上转换荧光增强衬底及其制备方法,涉及纳米材料制备领域,所述上转换荧光增强衬底包括基板,所述基板具备晶体结构刚性;制备于所述基板上的铜纳米颗粒阵列,所述铜纳米颗粒阵列呈岛状分布;制备于所述铜纳米颗粒阵列上的二氧化钛薄膜,所述二氧化钛薄膜为多晶结构。本发明公开的上转换荧光增强衬底及其制备方法,是基于铜纳米颗粒LSPR效应,并使用二氧化钛调控其吸收峰位置。从而使其LSPR吸收移动至700‑1050nm,从而实现步骤简单,成本低廉,效果显著的上转换荧光增强衬底制备。本发明公开的上转换荧光增强衬底及其制备方法还可以与半导体加工工艺相结合,其制备的上转换荧光增强衬底可应用于光电器件表面光学改性,也可应用于荧光检测中。
搜索关键词: 一种 转换 荧光 增强 衬底 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种上转换荧光增强衬底,包括:基板,所述基板具备晶体结构刚性;制备于所述基板上的铜纳米颗粒阵列,所述铜纳米颗粒阵列由铜纳米颗粒组成,所述铜纳米颗粒阵列呈岛状分布;制备于所述铜纳米颗粒阵列上的二氧化钛薄膜,所述二氧化钛薄膜为多晶结构。
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