[发明专利]形成场效应晶体管的方法

摘要

公开了形成场效应晶体管的方法。该方法包括以下步骤：利用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在半导体层上沉积第一氮化硅(SiN)膜；利用等离子体辅助化学气相沉积(p‑CVD)技术在第一SiN膜上沉积第二SiN膜；在第二SiN膜上制备光阻剂掩模，光阻剂掩模具有位于与栅电极对应的位置处的开口；在光阻剂掩模中的开口的部分中连续地干法蚀刻第二SiN膜和第一SiN膜，以形成第一SiN膜中的开口和第二SiN膜中的开口，第一SiN膜中的开口和第二SiN膜中的开口使半导体层露出；以及利用栅电极至少填充第一SiN膜中的开口。本工艺的特征在于，第一SiN膜中的开口相对于半导体层具有倾斜侧部并从半导体层逐渐变宽。

主权项

1.一种形成具有栅电极的场效应晶体管的方法，包括以下步骤：利用低压化学气相沉积技术在半导体层上沉积第一氮化硅膜，即第一SiN膜；利用等离子体辅助化学气相沉积技术在所述第一SiN膜上沉积第二氮化硅膜，即第二SiN膜；在所述第二SiN膜上制备光阻剂掩模，所述光阻剂掩模具有位于与所述栅电极对应的位置处的开口；在所述光阻剂掩模中的所述开口的部分中连续地干法蚀刻所述第二SiN膜和所述第一SiN膜，以形成所述第一SiN膜中的开口和所述第二SiN膜中的开口，所述第一SiN膜中的所述开口和所述第二SiN膜中的所述开口使所述半导体层露出；以及利用所述栅电极至少填充所述第一SiN膜中的所述开口，其中，所述第一SiN膜中的所述开口相对于所述半导体层具有倾斜的侧部，并从所述半导体层逐渐变宽。