[发明专利]一种存储器及其制造方法

摘要

本发明提出一种存储器及其制造方法，包括：衬底；至少一浮栅结构，位于所述衬底上，所述浮栅结构依次包括浮栅介电层和浮栅电极层；至少一极间介电层，位于所述浮栅结构上；至少一源区，位于所述衬底中，且与所述浮栅结构的一端相邻；至少一漏区，位于所述衬底中，且与所述浮栅结构的另一端相邻；隔离层，位于所述衬底以及所述极间介电层上；层间介电层，位于所述隔离层上；多个接触插塞，位于所述层间介电层中，其中至少一个所述接触插塞的一端直接接触所述极间介电层，所述接触插塞的另一端连接金属层。本发明提出的存储器的制造方法简化了制造工艺，减小了存储器的体积；同时本发明提出的制造方法同样适用于制造存储器中逻辑区器件。