[发明专利]一种研磨硅片清洗方法有效
| 申请号： | 201910105318.9 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN109860025B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 张堪;由佰玲;苏荣义;白玉麟;徐荣清;王彦君 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种研磨硅片清洗方法，其方法依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。本发明摒弃浓碱及超声，通过滚轴带动硅片在稀碱及清洗液内转动、剥离硅片表面杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 研磨 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种研磨硅片清洗方法，其特征在于：依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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