[发明专利]基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法

摘要

一种基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED及其制备方法，所述LED由下至上包括：衬底；低温成核层，位于衬底上；u‑GaN层，位于低温成核层上；第一n‑GaN层，位于u‑GaN层上；SiO2层，位于第一n‑GaN层上，含有n(n≥1)个微/纳米孔洞；3D类金字塔型n‑GaN结构，位于微/纳米孔洞上；对3D类金字塔型n‑GaN结构之间的SiO2进行刻蚀，裸露出第一n‑GaN层后再生长第二n‑GaN层；全结构，位于3D类金字塔型n‑GaN结构以及经SiO2刻蚀后所裸露出的第一n‑GaN层之上；混合量子点，填充于3D类金字塔型结构的间隙之间。其由外延技术生长出的全结构与量子点结合起来所得到的，在避免荧光粉所带来的缺陷的同时，通过量子阱中In的组分及混合量子点配比的调节，形成全光谱，实现高显色性能。

主权项

1.一种基于类金字塔型的显指可调的单芯片白光LED，包括：衬底；低温成核层，位于所述衬底上；非掺杂GaN层，位于所述低温成核层上；第一n‑GaN层，位于所述非掺杂GaN层上；SiO₂层，位于所述第一n‑GaN层上，含有n个微/纳米孔洞；3D类金字塔型n‑GaN结构，位于所述SiO₂层的微/纳米孔洞上；全结构，位于所述3D类金字塔型n‑GaN结构以及经SiO₂刻蚀后所裸露出的第一n‑GaN层之上；以及混合量子点，填充于所述3D类金字塔型结构的间隙之间。