[发明专利]前照式CMOS图像传感器的形成方法有效
| 申请号： | 201910106605.1 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN111524920B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;李杰;郑展;付文 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种前照式CMOS图像传感器的形成方法，包括：依次形成器件层、多层金属层，所述器件层包括感光区域和非感光区域；形成顶层金属层，刻蚀顶层金属层形成预设图案；在感光区域和非感光区域上方依次形成第一阻挡层和介质层；研磨所述介质层，停止至所述非感光区域的第一阻挡层区域表面；在所述研磨后的表面上形成第二阻挡层；刻蚀所述感光区域的第二阻挡层、介质层至暴露出第一阻挡层表面；其中，通过第一阻挡层的阻挡，可以提高研磨和刻蚀工艺的均匀性，并在保证感光区域表面与非感光区域表面相对较低高度差的同时可以获得感光区域相对较短的光程。 | ||
| 搜索关键词： | 前照式 cmos 图像传感器 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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