[发明专利]无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法，能达到能够进行连续生长，制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器，其结构为透明玻璃/CsPbBr3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚，具有较高的开关比，较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料耐湿耐热性优异，并将此方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。

主权项

1.一种无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件，所述透明玻璃作为衬底，其特征在于：无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件主要由透明玻璃、钙钛矿吸光层、金属电极组成，其结构为由透明玻璃/CsPbBr₃钙钛矿多晶厚膜/Au电极组成的复合结构，作为全无机钙钛矿平面型半导体探测器材料，CsPbBr₃钙钛矿多晶厚膜作为电子空穴传输功能层，CsPbBr₃钙钛矿多晶厚膜的厚度为10～200μm，Au电极的厚度为70‑90nm。