[发明专利]内连线结构和其制作方法在审
| 申请号： | 201910107660.2 | 申请日： | 2013-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110085563A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 蔡欣昌;李嘉炎;李芃昕 | 申请（专利权）人： | 台达电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/482;H01L23/488;H01L23/495;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/768;H01L21/288;H01L21/268;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种内连线结构和其的制作方法，该方法包括：提供一基底，具有一第一侧和一相对于第一侧的一第二侧；形成一通孔，穿过基底，其中通孔具有一第一开口和一第二开口，第一开口邻近基底的第一侧，第二开口邻近基底的第二侧；形成一第一垫，覆盖第一开口；在形成第一垫之后，形成一导孔结构于通孔中，其中导孔结构包括导电材料，且邻接第一垫。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 基底 内连线结构 导孔 通孔 邻近 导电材料 邻接 制作 穿过 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种内连线结构，包括：一基底，具有至少一电子元件和一穿过该基底的通孔，其中该至少一电子元件邻近该基底的第一侧，该通孔具有一第一开口，邻近该基底的该第一侧，其中该至少一电子元件包括通道层和漏极电极；一缓冲层，形成于该基底上，其中该通孔还依次穿过该缓冲层、该通道层和该漏极电极；一导孔结构，位于该通孔中，其中该导孔结构不超过该第一开口，且该导孔结构延伸超过该通孔的邻近基底的相对于该第一侧的第二侧的第二开口；及一第一垫，位于该基底的第一侧且覆盖该通孔，其中该第一垫包括一凸出部分，延伸至该通孔；其中该第一垫邻接该导孔结构且电性连接该至少一电子元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子工业股份有限公司，未经台达电子工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910107660.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多级电晕风散热装置
- 下一篇：晶圆级晶粒尺寸封装结构及其制造方法
