[发明专利]发射器结构和制造方法在审
| 申请号： | 201910107760.5 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110132848A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | D·图姆波德;S·安辛格尔;C·格拉策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/17 | 分类号： | G01N21/17;G01N21/3504;G01N21/61;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发射器结构，包括具有薄膜装置的基板。薄膜装置至少包括在不同基板平面中的第一薄膜，第一加热路径和第二加热路径。第一加热路径和第二加热路径相对于彼此定位，使得第一加热路径和第二加热路径在一共同平面上的投影至少部分地彼此并置在该共同平面中。 | ||
| 搜索关键词： | 加热路径 发射器结构 薄膜装置 基板平面 并置 基板 薄膜 投影 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发射器结构(10，10'，10”，10”'，10””，10””'，10”””，10”””')，具有以下特征：具有带有薄膜装置的基板，所述薄膜装置至少包括第一薄膜(12，12'，12”，12”')、第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')，其中，所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')布置在不同的基板平面中并且相对彼此定位，使得所述第一加热路径(12a，12a'，12a”，12a”'，12a””，12a””'，12a”””，12a”””'，12b'，12b”，12b”'，12b””，12b””'，12b”””，12b”””')和所述第二加热路径(14a，14a'，14a”，14a”'，14a””，14a””'，14a”””，14a”””'，14b'，14b”，14b”'，14b””，14b””'，14b”””，14b”””')在一共同平面(GE)上的投影在所述共同平面(GE)中至少部分地彼此相邻。
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