[发明专利]一种新型异质结光子型红外探测器及制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种新型的异质结光子型红外探测器及制备方法及应用，探测器包括从下到上的基底层、异质结层和最上层位于两侧的两个电极层，异质结层是由IV‑VI/II‑VI族化合物半导体构成的PbTe(SnTe)/CdTe、PbTe(SnTe)/ZnTe或PbSe(SnSe)/CdSe、PbSe(SnSe)/ZnSe异质结材料研制的。本发明以PbTe/CdTe等异质结界面二维电子气结构材料为基础，制备了一种FET结构光子型红外探测器。探测器的光响应来源于PbTe的本征响应，即光谱响应波段为1.2–4.0μm。得益于二维电子气高迁移率的特点，探测器的响应时间短，小于1μs。探测器的探测率高，在2μm处达到了3×10¹⁰Jones，远高于热探测器和PbTe、PbSe单晶薄膜红外探测器。该探测器在红外焦平面阵列成像领域具有应用前景。

主权项

1.一种新型的异质结光子型红外探测器，其特征在于，所述的探测器包括从下到上的基底层、异质结层和最上层位于两侧的两个电极层。