[发明专利]一种阵列基板及其制作方法有效
申请号: | 201910108116.X | 申请日: | 2019-02-02 |
公开(公告)号: | CN109817531B | 公开(公告)日: | 2021-03-12 |
发明(设计)人: | 程磊磊;方金钢;丁录科;刘军;李伟;周斌 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法,涉及显示技术领域。本发明通过在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层,在绝缘层上形成刻蚀阻挡层,对刻蚀阻挡层和绝缘层进行多次刻蚀,形成贯穿绝缘层的连接孔,连接孔包括多个依次连通的过孔,且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角,形成第二金属层,第二金属层通过连接孔与第一金属层连接。通过对刻蚀阻挡层和绝缘层分多次进行刻蚀,使得形成的连接孔包括多个依次连通的过孔,且由于每次刻蚀掉的绝缘层厚度较小,保证形成的连接孔中的每个过孔的坡度角均小于预设坡度角,在后续制作第二金属层时,避免因连接孔坡度角较大导致第二金属层的覆盖不佳或断线,改善第一金属层与第二金属层的搭接不良。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层,所述绝缘层覆盖所述第一金属层;在所述绝缘层上形成刻蚀阻挡层;对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀,形成贯穿所述绝缘层的连接孔,所述连接孔包括多个依次连通的过孔,且每个过孔的坡度角均小于预设坡度角;形成第二金属层,所述第二金属层通过所述连接孔与所述第一金属层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造