[发明专利]一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201910108643.0 | 申请日: | 2019-02-03 |
公开(公告)号: | CN109860325B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 吴真龙;韩效亚;李俊承;林志伟;陈凯轩 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0735 | 分类号: | H01L31/0735;H01L31/0256;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李婷婷;王宝筠 |
地址: | 225101*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请提供一种砷化物多结太阳能电池及其制作方法,所述砷化物多结太阳能电池,包括至少三结子电池,其中至少一结子电池的基区为砷化物基区,所述砷化物基区采用掺杂渐变方式形成,并且在掺杂浓度低的区域,交替生长掺杂层和非掺杂层,降低了基区靠近PN结区域的平均载流子浓度,耗尽区宽度与平均载流子浓度反比例关系,因此此技术方案可以增加耗尽区厚度,改善载流子的收集效果,从而可以提高电池性能,同时这种方式的基区,因为采用掺杂层和非掺杂层交替生长的方式增加了少数载流子的迁移率,进而增加了少数载流子的扩散长度,最终可以提高载流子的寿命,提高电池的抗辐照性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 砷化物 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种砷化物多结太阳能电池,其特征在于,至少包括:三结子电池,以及位于相邻两结子电池之间的隧穿结;其中,至少一结子电池包括基区与发射区,且所述基区为砷化物基区;所述砷化物基区的掺杂浓度沿第一方向逐渐降低,所述第一方向为所述砷化物基区指向所述发射区的方向;所述砷化物基区与所述发射区相邻的低掺杂区,包括多个交替层叠设置的掺杂层和非掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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