[发明专利]一种高堆叠层数3D NAND闪存的制作方法及3D NAND闪存

摘要

本发明提供了一种高堆叠层数3D NAND闪存的制作方法及3D NAND闪存，包括以下步骤：提供一个基片晶圆，所述基片晶圆上具有MOS器件区和第一存储器件区；提供一个键合晶圆，所述键合晶圆上具有金属连线区和第二存储器件区；键合连接；具体为将键合晶圆翻转，使得所述金属连线区对应MOS器件区，第二存储器件区对应第一存储器件区，并依靠范德华力使得键合晶圆和基片晶圆直接键合连接；连接后处理；具体包括将键合晶圆进行衬底减薄，制造金属互联层，形成与MOS器件和存储器件的金属连线。本发明克服了现有工艺对于N/O堆叠结构的层数限制，获得高堆叠层数3D NAND闪存，提高3D NAND闪存的存储能力。

主权项

1.一种高堆叠层数3D NAND闪存的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一个基片晶圆，所述基片晶圆上具有MOS器件区和第一存储器件区，其中所述第一存储器件区包括第1沟道孔阵列区；提供一个键合晶圆，所述键合晶圆上具有金属连线区和第二存储器件区，其中所述第二存储器件区包括第2沟道孔阵列区；键合连接；具体为将键合晶圆翻转，使得所述金属连线区对应MOS器件区，第二存储器件区对应第一存储器件区，所述第1沟道孔阵列区对应所述第2沟道孔阵列区，并将键合晶圆和基片晶圆直接键合连接；连接后处理；具体包括将键合晶圆进行衬底减薄，制造金属互联层，形成与MOS器件和存储器件的金属连线。