[发明专利]免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910110219.X | 申请日： | 2019-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN109817811B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宋群梁;王刚 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 周建军 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件及其制备方法，包括采用2‑甲氧基乙醇作为溶剂，配置钙钛矿前驱体溶液，制备钙钛矿吸光层，制成的器件结构为p‑i‑n型或n‑i‑p型。本发明通过简单的一次直接成膜工艺，就可以获得具有钙钛矿结构的吸光层，不需要进行任何的二次处理。该方法成功简化了钙钛矿太阳能电池等光伏器件的制备工艺，减少了制备钙钛矿薄膜层时热退火和反溶剂两个工艺程序，大大降低的制备成本和缩短制备时间，对钙钛矿的商业化生产具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 溶剂 钙钛矿光伏 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种免退火、免反溶剂的钙钛矿光伏器件制备方法，其特征在于：包括采用2‑甲氧基乙醇作为溶剂，配置钙钛矿前驱体溶液，制备钙钛矿吸光层，制成的器件结构为p‑i‑n型或n‑i‑p型。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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