[发明专利]用于改善FINFET效能的栅极裙氧化及其制造方法在审
| 申请号： | 201910112056.9 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110349852A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 高群;C·纳萨尔;S·克里夏纳穆尔特伊;都米葛·安东尼奥·费瑞尔·路毕;J·斯波勒;S·西迪基;B·鲍默特;A·扎因丁;刘金平;李泰正;L·潘蒂萨诺;H·拉扎尔;臧辉 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于改善FINFET效能的栅极裙氧化及其制造方法，提供一种用于控制在FinFET装置内的栅极长度以提高功率效能的方法以及所产生的装置。数个具体实施例包括：形成在多个鳍片上方延伸的垂直栅极；沉积各自的氧化物层于该垂直栅极与该多个鳍片的各自的交叉点处形成的多个裙区上方；以及氧化各个氧化物层以形成多个氧化栅极裙。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直栅极 氧化物层 鳍片 功率效能 交叉点处 氧化栅极 裙区 沉积 制造 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包含：形成在多个鳍片上方延伸的垂直栅极；各自沉积一氧化物层于该垂直栅极与该多个鳍片的各自的交叉点处形成的多个裙区的每一个上方；以及氧化各个氧化物层以形成多个氧化栅极裙。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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