[发明专利]集成电路布局、器件、系统和其生成方法有效
| 申请号： | 201910112255.X | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110147564B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;洪哲民;周绍禹;杨耀仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F115/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 生成IC布局图的方法包括使有源区与第一栅极区和第二栅极区相交以限定第一反熔丝结构和第二反熔丝结构的位置，利用第一导电区覆盖第一栅极区以限定第一导电区和第一栅极区之间的电连接的位置，以及利用第二导电区覆盖第二栅极区以限定第二导电区和第二栅极区之间的电连接的位置。第一导电区和第二导电区沿着与第一栅极区和第二栅极区延伸的方向垂直的方向对准，以及由计算机的处理器执行使有源区与第一栅极区相交、使有源区与第二栅极区相交、覆盖第一栅极区或覆盖第二栅极区中的至少一个。本发明的实施例还提供了集成电路布局、器件和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 布局 器件 系统 生成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生成集成电路(IC)布局图的方法，所述方法包括：使集成电路布局图中的有源区与第一栅极区相交，从而在所述有源区中限定第一反熔丝结构的位置；使所述有源区与第二栅极区相交，从而在所述有源区中限定第二反熔丝结构的位置；利用第一导电区覆盖所述第一栅极区，从而限定所述第一导电区和所述第一栅极区之间的电连接的位置；以及利用第二导电区覆盖所述第二栅极区，从而限定所述第二导电区和所述第二栅极区之间的电连接的位置，其中，所述第一导电区和所述第二导电区沿与所述第一栅极区和所述第二栅极区延伸的方向垂直的方向对准，以及由计算机的处理器执行使所述有源区与所述第一栅极区相交、所述有源区与所述第二栅极区相交、覆盖所述第一栅极区或覆盖所述第二栅极区中的至少一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910112255.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
