[发明专利]溅射靶材及其制造方法在审
| 申请号： | 201910112452.1 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110295349A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 远藤瑶辅;山本浩由 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开提供一种Ag分布均匀性高的AgIn溅射靶材及其制造方法。一种溅射靶材，含有Ag，剩余部分由In以及不可避免的杂质构成，在所述溅射靶材中，Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示：|B－C|/A×100≤30(％)，在此，A：溅射靶材整体中的Ag的含量(原子％)；B：将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子％)；C：将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子％)。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射靶材 算式 分布均匀性 均匀性 制造 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶材，其中，含有Ag，剩余部分由In以及不可避免的杂质构成，在所述溅射靶材中，Ag的厚度方向的均匀性由以下算式表示：|B－C|/A×100≤30(％)在此，A：溅射靶材整体中的Ag的含量(原子％)B：将溅射靶材在厚度方向二等分时的一方的Ag的含量(原子％)C：将溅射靶材在厚度方向二等分时的另一方的Ag的含量(原子％)。
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