[发明专利]一种自旋电子器件及其制备方法、调控方法

摘要

本发明公开了一种自旋电子器件及其制备方法、调控方法，上述自旋电子器件包括基体，以及在基体表面由下至上层叠设置的：LED构件层，势垒层，铁磁材料层以及二维外尔半金属层；其中，所述二维外尔半金属层选自MoTe2、WTe2、PtTe2和TaTe2中的一种；所述铁磁材料层选自CoFeB合金、Co‑Ni多层膜、Co‑Tb合金和Co‑Gd合金中的一种，所述势垒层选自MgO、Al‑O中的一种。本发明以二维外尔半金属层和铁磁材料层作为自旋注入端，通过利用二维外尔半金属的自旋轨道耦合效应实现电流‑自旋流的转换，从而利用自旋轨道转矩效应实现电流驱动自旋注入端中铁磁性层磁矩的翻转，达到无需外磁场来调控注入电子的自旋态，以实现调控自旋发光二极管的发光的极化状态。

主权项

1.一种自旋电子器件，其特征在于：包括基体，以及在基体表面由下至上层叠设置的：LED构件层；势垒层；铁磁材料层，以及二维外尔半金属层；其中，所述二维外尔半金属层选自MoTe₂、WTe₂、PtTe₂和TaTe₂中的一种；所述铁磁材料层选自CoFeB合金、Co‑Ni多层膜、Co‑Tb合金和Co‑Gd合金中的一种，所述势垒层选自MgO、Al‑O中的一种。