[发明专利]一种全晶体波导耦合器的制备方法有效
| 申请号： | 201910113238.8 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109613648B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 姚一村;德特列夫·基普;克里斯汀·埃尔文·豪恩霍斯特;塞吉·索恩索夫;多米内克·布鲁斯克;伊娃·法茨格拉夫 | 申请（专利权）人： | 聊城大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13 |
| 代理公司： | 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 | 代理人： | 李浩成 |
| 地址： | 252059 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于全晶体波导的输入/输出耦合器的制备方法，其核心是利用全内反射原理，通过精密切割技术在波导样品适当位置制作全反镜，以实现波导模式信号的输入/输出属于集成光子学器件制备技术领域。其特点及优势主要包括：1.目前唯一可行的全晶体波导输入/输出耦合器制备方法；2.制备工艺简单，仅需在常规波导制备工艺的基础上增加若干次切割工艺；2.与传统光栅类耦合器相比，耦合效率得到显著提升；3.适用材料范围广，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 波导 耦合器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全晶体波导耦合器的制备方法，其特征在于，当波导A距离晶片某侧边缘小于100微米时，步骤为：使用精密金刚石垂直于晶片侧边缘切割一凹槽，所述凹槽贯通波导A且与晶片上表面呈一定角度的夹角。
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