[发明专利]一种柔性彩色Micro-LED制备方法以及制备的产品有效
申请号: | 201910113465.0 | 申请日: | 2019-02-14 |
公开(公告)号: | CN109962083B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 徐从康;顾而丹;王江涌 | 申请(专利权)人: | 汕头大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/30 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 周增元;曹江 |
地址: | 515000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性彩色Micro‑LED制备方法以及制备的产品,包括:(1)基于GaAs衬底的红光微缩化图案化倒装芯片制备;(2)基于蓝宝石的绿光和蓝光微缩化图案化倒装芯片制备;(3)对芯片进行退火以提高外量子效率;(4)GaAs衬底选择性腐蚀处理和蓝宝石衬底激光剥离处理;(5)一次性批量分别转移绿光、蓝光和红光薄膜芯片至驱动基板上并同时伴随用ICP刻蚀分开各个芯片;(6)焊接芯片到驱动基板上;(7)通过机械打磨并化学腐蚀除去Si和氧化硅缓冲层剥离掉Si衬底。(8)用橡皮图章转印方法转移芯片和驱动集成到聚二甲基硅氧烷。本发明转移量大、简单、方便、快捷,降低了转移的次数和时间,同时能够直接获得RGB三原色并进行本征色彩转换,极大地提高了显示质量,降低了Micro‑LED的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 彩色 micro led 制备 方法 以及 产品 | ||
【主权项】:
1.一种柔性彩色Micro‑LED制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、在GaAs衬底LED晶圆上通过光刻蚀、反应离子刻蚀或电感耦合等离子蚀刻预制作图形化的红光倒装微型芯片;步骤2、在蓝宝石衬底LED晶圆上通过光刻蚀或电感耦合等离子蚀刻分别制作图形化的基于GaN的绿光和蓝光倒装芯片,对制作的绿光和蓝光芯片分别在真空炉中做退火处理步骤3、将红光微型芯片的GaAs衬底用HCl:H2O2:H2O做选择性腐蚀,得到薄膜支撑的图案形芯片;步骤4、将绿光和蓝光微型芯片上的蓝宝石衬底,分别用激光分解GaN剥离掉蓝宝石;步骤5、将薄膜支撑的图案形红光芯片一次性平移到驱动基板的目标位置上,用电感耦合等离子蚀刻掉薄膜,分开相互连接的芯片;步骤6、将薄膜支撑的图案形绿光和蓝光芯片分别一次性平移到驱动基板的目标位置上;用电感耦合等离子蚀刻掉薄膜,分开相互连接的芯片;步骤7、通过SMT倒装回流焊接芯片到驱动基板上;步骤8、通过机械打磨并化学腐蚀除去Si和氧化硅缓冲层剥离掉Si衬底。步骤9、用橡皮图章转印方法转移芯片和驱动集成到聚二甲基硅氧烷形成柔性Micro-LED。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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