[发明专利]一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法及三维MXene阵列有效
| 申请号： | 201910113618.1 | 申请日： | 2019-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN109712824B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 杨维清;黄海超;张海涛;陈宁俊;储翔;谢岩廷 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/26;G02F1/1337 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 周文波 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及电化学领域，具体而言，涉及一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法及三维MXene阵列。一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法包括：将MAX相材料进行刻蚀，得到具有良好导电性的MXene胶体溶液；而后将能够诱导MXene形成三维网状结构的改性剂加入MXene胶体溶液中，混合均匀，得到改性Mxene液晶溶液；而后将具有表面亲水性的硅片表面均匀涂覆Mxene胶体溶液得到一层MXene膜；而后将两片硅片相对放置于改性Mxene液晶溶液中，并在外加电场的作用后进行急速冷却。该工艺合简单，反应易于控制。而制备得到的三维MXene阵列中阵列的取向性较好，且排列整齐。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 胶体溶液 液晶化 构建 液晶溶液 改性 三维网状结构 导电性 表面亲水性 电化学领域 硅片表面 急速冷却 均匀涂覆 排列整齐 外加电场 相对放置 改性剂 取向性 硅片 刻蚀 制备 诱导 | ||
【主权项】：
1.一种利用液晶化MXene构建三维MXene阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：将具有液晶特性的改性剂加入MXene胶体溶液中，混合均匀，得到具有三维网状结构的液晶化Mxene溶液；将两片表面涂覆有均匀的Mxene胶体溶液的硅片相对放置于液晶化Mxene溶液中，在外加电场下进行作用，其中，所述硅片涂覆Mxene胶体溶液的表面为亲水性表面。
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