[发明专利]3D NAND存储器的形成方法

摘要

一种3D NAND存储器的形成方法，包括：半导体衬底，半导体衬底上形成有包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层的堆叠结构，堆叠结构中具有连通第一沟道孔和第二沟道孔，且第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，第一沟道孔中填充满牺牲材料层；在第二沟道孔的侧壁形成侧墙；去除部分所述牺牲材料层；刻蚀第一沟道孔使得第一沟道孔的宽度变宽，使得台阶的宽度变小；在第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。本发明的方法防止台阶处的电荷存储层被刻断或损伤，从而防止存储器失效。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括若干交替层叠的牺牲层和隔离层，所述堆叠结构中具有第一沟道孔和第二沟道孔，所述第二沟道孔与第一沟道孔连通，且所述第二沟道孔相对于第一沟道孔存在对准偏移，在所述第一沟道孔和第二沟道孔的交界处形成台阶，所述的第一沟道孔中填充满牺牲材料层；在所述第二沟道孔的侧壁形成侧墙；形成侧墙后，去除部分所述牺牲材料层，暴露出台阶下方的第一沟道孔侧壁；刻蚀台阶下方的第一沟道孔，使得台阶下方的第一沟道孔的宽度变宽，使得台阶的宽度变小；在台阶的宽度变小后，去除所述侧墙和牺牲材料层，在所述第一沟道孔和第二沟道孔侧壁和底部上形成电荷存储层；在所述电荷存储层上形成沟道孔牺牲层；依次刻蚀第一沟道孔底部上的沟道孔牺牲层和电荷存储层，形成开口。