[发明专利]一种硼掺杂氢氧化钴负载于多孔铜基底的多级结构材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201910114069.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109772330B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 唐阳;庄姝娴;万平玉;杨晓进;汪杰;李牧洁;仝思远;熊海浪;郭鹏凯;徐李栋 | 申请（专利权）人： | 安庆北化大科技园有限公司 |
| 主分类号： | B01J23/75 | 分类号： | B01J23/75;B01J35/10 |
| 代理公司： | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人： | 王亚洲 |
| 地址： | 246000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硼掺杂氢氧化钴负载于多孔铜基底的多级结构材料，涉及催化材料制备领域，所述多级结构材料包括网状导电材料、微米级多孔铜、硼掺杂氧化钴纳米片的三级结构，本发明还提供上述多级结构材料的制备方法，其通过电沉积负载多孔铜层，然后通过电沉积负载氢氧化钴纳米片层，最后通过硼氢化钠‑电化学联合硼化实现氢氧化钴纳米片的硼化；本发明的有益效果在于：所制备的多级结构材料具有丰富的活性位点、便利的电子传输和溶液传质通道，是一系列电化学、化学反应所需的优良多级结构催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氢氧化 负载 多孔 基底 多级 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硼掺杂氢氧化钴负载于多孔铜基底的多级结构材料，其特征在于：其以导电材料为一级结构，一级结构材料的骨架上负载的微米级多孔铜为二级结构，二级结构多孔铜覆盖的硼掺杂氧化钴纳米片为三级结构。
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