[发明专利]磁阻效应元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910114243.0 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110165046A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 市川心人;中田胜之;三谷诚司;介川裕章;宝野和博;大久保忠胜 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社;国立研究开发法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/08;H01L43/12;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种隧道势垒层稳定地采用阳离子无序尖晶石结构的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和被夹持于它们之间的隧道势垒层，所述隧道势垒层为MgxAl1‑x(0≤x<1)的氧化物，所述隧道势垒层的氧量低于所述氧化物具有有序的尖晶石结构的完全氧化状态下的氧量。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道势垒层 磁阻效应元件 尖晶石结构 铁磁性层 氧化物 氧化状态 阳离子 夹持 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，其中，具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和被夹持于它们之间的隧道势垒层，所述隧道势垒层是MgxAl1‑x的氧化物，其中，0≤x<1，所述隧道势垒层的氧量低于所述氧化物具有有序的尖晶石结构的完全氧化后的完全氧化状态下的氧量。
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