[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制造方法，包括像素区和端子区；像素区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极，第一绝缘层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层、像素电极、第四过孔，像素电极通过第四过孔与漏极导通；端子区包括栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、源极和漏极、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、第五过孔，像素电极通过第五过孔与栅极导通。本发明通过像素区对光刻胶、第三绝缘层、第一绝缘层同时进行刻蚀，端子区对第三绝缘层、第一绝缘层、栅极绝缘层同时进行刻蚀，可以减少像素区对第一绝缘层、第二绝缘层和漏极表面过刻的影响，降低过孔处阻抗。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，阵列基板包括位于中间的像素区和位于边缘的端子区，其特征在于：包括如下步骤：S1：采用第一金属分别在玻璃基板的像素区和端子区上形成栅极；S2：形成覆盖栅极的栅极绝缘层，在栅极绝缘层上方形成半导体层，采用第二金属形成位于像素区的半导体层两侧的源极和漏极以及形成位于端子区的半导体层上方的金属接触层，其中像素区的源极和漏极均与半导体层的两侧接触，端子区的金属接触层与半导体层上方接触；S3：形成覆盖源极、漏极和金属接触层的第一绝缘层，形成覆盖第一绝缘层的第二绝缘层；曝光掉像素区的漏极上方的部分第二绝缘层并形成位于漏极上方的第一过孔；同时刻蚀掉端子区的金属接触层两侧的部分第二绝缘层并形成位于金属接触层两侧的第二过孔；S4：在像素区的第二绝缘层上方形成共通电极，刻蚀掉像素区第一过孔上方的共通电极形成第三过孔；S5：在步骤S4的基础上覆盖形成第三绝缘层，在第三绝缘层上方涂覆光刻胶；S6：采用半色调掩膜版对像素区和端子区光刻胶进行曝光，将像素区的第三过孔内的光刻胶部分曝光掉，端子区第二过孔底部的光刻胶全部曝光除掉，端子区第二过孔侧壁上的光刻胶仍然保留，部分金属接触层上方的光刻胶全部曝光掉并形成第一金属接触孔；S7：像素区的第三过孔处对光刻胶、第三绝缘层和第一绝缘层同时进行刻蚀，形成位于漏极上方的第四过孔；端子区的第二过孔内的第三绝缘层、第一绝缘层和栅极绝缘层同时进行刻蚀并形成位于栅极上方的第五过孔，同时金属接触层上方的第三绝缘层和第一绝缘层进行刻蚀形成位于金属接触层上方的第二金属接触孔；S8：将像素区和端子区第三绝缘层上光刻胶进行剥离；S9：在步骤S8的基础上覆盖半透明导电材料，形成位于像素区和端子区的像素电极，像素电极通过第四过孔与像素区的漏极连接导通，像素电极通过第五过孔与端子区栅极连接导通，像素电极通过第二金属接触孔与金属接触层连接。