[发明专利]用于蚀刻掩模和鳍片结构形成的方法在审
| 申请号： | 201910115403.3 | 申请日： | 2019-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110164763A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | Y·林;Q·周;Y·张 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所述的实施方式涉及基板处理方法。所述方法包括在基板上形成经图案化的硬掩模材料，在基板的暴露区域上形成第一心轴结构，以及在基板上在硬掩模材料和第一心轴结构上方沉积间隙填充材料。去除第一心轴结构以形成包含硬掩模材料和间隙填充材料的第二心轴结构，并且使用第二心轴结构作为掩模来蚀刻基板以形成鳍片结构。 | ||
| 搜索关键词： | 心轴结构 硬掩模材料 基板 间隙填充材料 鳍片结构 暴露区域 基板处理 蚀刻基板 蚀刻掩模 图案化 掩模 沉积 去除 | ||
【主权项】：
1.一种鳍片结构处理方法，包括：在基板上形成经图案化的硬掩模材料；在所述基板的暴露在所述经图案化的硬掩模材料之间的区域上形成第一心轴结构；在所述基板上在所述硬掩模材料和所述第一心轴结构上方沉积间隙填充材料；去除所述第一心轴结构以形成第二心轴结构，所述第二心轴结构包含所述硬掩模材料和所述间隙填充材料；以及使用所述第二心轴结构作为掩模来蚀刻所述基板以形成沟槽从而形成鳍片结构，其中鳍片结构在相邻沟槽之间形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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