[发明专利]垂直腔面发射半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201910115496.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111435781B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 廖文渊;谭满清;韦欣;郭文涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器结构，包括：光学氧化限制层，位于激光器驻波波腹处，起光学限制的作用；电学氧化限制层，位于激光器驻波波节处，起到电流限制的作用；质子注入层，位于电学氧化限制层和光学氧化限制层上，提高激光器信息传输速率；以及衬底上外延生长缓冲层、N面电极、N型DBR、N型空间层、有源区、P型空间层、P型DBR层和P面电极构成激光器谐振腔。该垂直腔面发射激光器采用质子注入和分离限制氧化结构，此结构提高了电流注入的均匀性，减小了器件的寄生电容，具有低的阈值电流、稳定的单横模或多横模输出，提高了器件的高速性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
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