[发明专利]薄膜晶体管器件制造方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管器件制造方法，包括：栅极形成步骤、半导体层形成步骤、蚀刻终止层形成步骤、以及源极漏极形成步骤。所述薄膜晶体管器件制造方法通过图形化蚀刻终止层形成间隔部以区隔开关薄膜晶体管器件和驱动薄膜晶体管器件分离所述开关薄膜晶体管器件和驱动薄膜晶体管器件的第一沟道部与第二沟道部透过图形化所述蚀刻终止层而获得，故能够获得较现有技术来的短的沟道部，使得薄膜晶体管器件较易获得短沟道效应。

主权项

1.一种薄膜晶体管器件制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管器件制造方法包括：栅极形成步骤，包括通过沉积形成栅极层到基板上，接着图形化所述栅极层而在所述栅极层上形成第一栅极电极以及第二栅极电极；半导体层形成步骤，包括沉积栅极绝缘层到所述栅极层上，接着沉积半导体层到所述栅极绝缘层上，接着图形化所述半导体层；蚀刻终止层形成步骤，包括沉积蚀刻终止层到所述半导体层上，接着图形化所述蚀刻终止层；以及源极漏极形成步骤，包括：沉积源极层到所述蚀刻终止层上；接着图形化所述源极层以及所述蚀刻终止层，其中所述源极层被图形化而形成一第一源极电极以及一第二源极电极，所述蚀刻终止层被图形化而形成第一短沟道部、第二短沟道部、以及介于所述第一短沟道部及第二短沟道部之间的间隔部；以及接着通过对所述半导体层实施导体化处理工艺以在所述半导体层上形成第一低电阻区以及第二低电阻区，所述第一低电阻区作为第一漏极电极，所述第二低电阻区作为第二漏极电极；其中，所述第一源极电极、所述第一漏极电极、所述第一短沟道部、以及所述第一栅极电极共同构成第一薄膜晶体管器件；所述第二源极电极、所述第二漏极电极、所述第二短沟道部、以及所述第二栅极电极共同构成第二薄膜晶体管器件，所述间隔部分离所述第一薄膜晶体管器件以及所述第二薄膜晶体管器件，且所述第一漏极电极连接所述第二栅极电极。