[发明专利]常压烧结碳化硅陶瓷件的加工方法有效

专利信息
申请号: 201910115735.1 申请日: 2019-02-15
公开(公告)号: CN109704789B 公开(公告)日: 2021-04-23
发明(设计)人: 蔡鸣;张鹏;高宴斌 申请(专利权)人: 上海华硕精瓷陶瓷股份有限公司
主分类号: C04B35/64 分类号: C04B35/64
代理公司: 上海助之鑫知识产权代理有限公司 31328 代理人: 余中燕
地址: 201602 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及陶瓷加工领域,尤其涉及一种对常压烧结碳化硅陶瓷件进行加工的方法。为降低常压烧结碳化硅陶瓷件的加工难度,本发明提出一种常压烧结碳化硅陶瓷件的加工方法,步骤如下:将待加工常压烧结碳化硅陶瓷件放置到辅助工装的定位槽内,辅助工装中的定位框安装固定在承载底板的承载顶面上形成定位槽,定位框的总高度H1低于待加工常压烧结碳化硅陶瓷件的总高度H2;在定位槽内注入融化的石蜡;待融化的石蜡完全凝固后,将待加工常压烧结碳化硅陶瓷件连同辅助工装放置到陶瓷加工设备的加工位置上固定并完成对待加工常压烧结碳化硅陶瓷件的加工。采用本发明常压烧结碳化硅陶瓷件的加工方法对待加工常压烧结碳化硅陶瓷件进行加工,操作简单方便。
搜索关键词: 常压 烧结 碳化硅 陶瓷 加工 方法
【主权项】:
1.一种常压烧结碳化硅陶瓷件的加工方法,其特征在于,该加工方法包括如下步骤:步骤S1:将待加工常压烧结碳化硅陶瓷件放置到辅助工装的定位槽内,该辅助工装包括承载底板和定位框,所述承载底板的承载顶面和安装底面的平行度在0.02mm以内,所述定位框安装固定在所述承载底板的承载顶面上,所述定位框在所述承载底板上形成容纳所述待加工常压烧结碳化硅陶瓷件的定位槽,且所述定位框的总高度H1低于所述待加工常压烧结碳化硅陶瓷件的总高度H2;步骤S2:在所述定位槽内注入融化的石蜡,且注入的石蜡至少要没过所述待加工常压烧结碳化硅陶瓷件的总高度的三分之二;步骤S3:待所述融化的石蜡完全凝固后,将所述待加工常压烧结碳化硅陶瓷件连同所述辅助工装放置到陶瓷加工设备的加工位置上固定,并用所述陶瓷加工设备完成对所述待加工常压烧结碳化硅陶瓷件的加工。
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