[发明专利]一种大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法在审
| 申请号： | 201910116052.8 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN109695053A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 万能;张思源;赵小康;徐康;邵志勇 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B9/06 | 分类号： | C30B9/06;C30B9/10;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 唐循文 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法，属于单晶材料制备技术领域。所述制备方法具体过程如下：在氮气流中，将钴铬合金放在六方氮化硼粉末上，先高温加热使钴铬合金熔融，保持一段时间，令六方氮化硼粉末充分溶于钴铬合金中，达到饱和后，以极低速度降温，晶体会在金属合金表面析出，从而生长出大面积高质量的六方氮化硼单晶。目前研究二维材料六方氮化硼的主要问题就是晶体生长困难，难度大，而该方法结构简单，原理清晰，效果显著，对于六方氮化硼的广泛应用具有很大意义，同时对其他半导体材料或二维材料的研究与发展也有一定的启发。 | ||
| 搜索关键词： | 六方氮化硼 钴铬合金 单晶 制备 六方氮化硼粉末 二维材料 半导体材料 制备技术领域 析出 单晶材料 高温加热 金属合金 晶体生长 氮气流 熔融 饱和 清晰 生长 研究 应用 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸六方氮化硼单晶的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤一.将六方氮化硼粉末放入氮化硼坩埚中，将钴铬合金放于粉末上，六方氮化硼粉末与钴铬合金的质量比为(0.5‑10)‑(1:10)，将氮化硼坩埚置于氧化铝坩埚舟上放入管式炉加热温区，用真空泵将炉管内压力抽至5*10‑2 Pa以下，抽完关闭真空泵，通氮气至常压，重复3‑5次，最后通入氮气流保护，气流量为60‑100 sccm；步骤二.将炉内温度加热至1400‑1700℃，保持5‑30 h，然后以不大于10℃/h的速度降温至1200‑1500℃后结束加热，自然冷却至室温后取出样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910116052.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
