[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法有效
| 申请号： | 201910116069.3 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110648889B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 弘中嘉之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 高颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供提升样品的蚀刻处理的均匀性、进而提升成品率的等离子处理装置以及等离子处理方法。在对放置在配置于真空容器内部的处理室内的样品台的上表面上方的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理的等离子处理装置或等离子处理方法中，多个电极配置于所述样品台中央部以及其外周侧的区域，多个高频电源对多个电极各自提供高频电力，多个供电用路径将所述多个电极以及高频电源各个之间电连接，连接路径经由线圈将多个供电用路径上的匹配器与所述电极之间的部位彼此电连接，对应于流过所述供电用的路径的高频电力的相位差的大小来调节连接路径的所述线圈的电感，使得所述高频电力的电压成为极大值或极小值。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，对放置在配置于真空容器内部的处理室内的样品台的上表面上方的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，/n所述等离子处理装置的特征在于，具备：/n多个电极，配置于所述样品台，且配置在构成所述上表面的电介质制的膜内部的、中央部以及其外周侧的区域的下方；/n多个高频电源，对这多个电极各自提供高频电力；/n多个匹配器，配置在将所述多个电极以及高频电源各个之间电连接的多个供电用的路径的各个路径上；/n连接路径，经由线圈将所述供电用的路径各自的所述匹配器与所述电极之间的部位彼此电连接；和/n探测器，配置在各个所述供电用的路径上，探测流过该供电用路径的所述高频电力的电压的大小，/n对应于在所述晶片的处理中使用所述探测器的探测结果检测到的流过所述供电用的路径的高频电力的相位差的大小来调节所述线圈的电感，使得所述高频电力的电压成为极大值或极小值。/n
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