[发明专利]TFT阵列基板的缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201910116680.6 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN109829912B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 陈思宇;邓宇帆;金羽锋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;鞠骁 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板的缺陷检测方法。本发明的TFT阵列基板的缺陷检测方法在获取TFT阵列基板的原始图像后对原始图像进行去噪处理产生去噪图像，对去噪图像进行规则结构纹理背景去除处理产生待判定图像，对所述待判定图像进行缺陷提取获取TFT阵列基板的缺陷的描述参数，利用TFT阵列基板的缺陷的描述参数及预设的参考描述参数判断TFT阵列基板的缺陷的类型，能够简单准确地对TFT阵列基板上的缺陷类型进行检测。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
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