[发明专利]一种单光子探测器在审
| 申请号： | 201910116935.9 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN109768153A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 任舰;苏丽娜;李文佳 | 申请（专利权）人： | 淮阴师范学院 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L31/101;G01J1/42 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 明志会 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单光子探测器，属于半导体器件技术领域。所述Si衬底上设置有SiO2势垒层，且SiO2势垒层上集成有库伦岛和太赫兹平面天线，所述太赫兹平面天线上设置有Al2O3势垒层和超导光子吸收薄膜。该单光子探测器利用半导体微纳加工技术制备硅基单电子晶体管，实现高灵敏的电荷探测结构，并在单电子晶体管的库伦岛附近实现基于超导隧道节的太赫兹光子‑电荷转换结构的高度集成，将基于超导体的光子‑电荷转换结构与超电荷高灵敏度的单电子晶体管读出电路相结合，实现超高灵敏度的太赫兹单光子探测器，从而推动太赫兹单光子探测器往更低频率和更高灵敏度发展。 | ||
| 搜索关键词： | 单电子晶体管 单光子探测器 势垒层 太赫兹单光子 电荷转换 高灵敏度 平面天线 光子 探测器 超导体 半导体器件技术 微纳加工技术 超高灵敏度 电荷探测 读出电路 高度集成 光子吸收 制备硅基 电荷 低频率 衬底 薄膜 半导体 灵敏 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种单光子探测器，其特征在于：它包含Si衬底（1）、SiO2势垒层（2）、库伦岛（3）、太赫兹平面天线（4）、Al2O3势垒层（5）和超导光子吸收薄膜（6），所述Si衬底（1）上设置有SiO2势垒层（2），且SiO2势垒层（2）上集成有库伦岛（3）和太赫兹平面天线（4），所述太赫兹平面天线（4）上设置有Al2O3势垒层（5）和超导光子吸收薄膜（6）。
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