[发明专利]制造相变化记忆体的方法在审
| 申请号： | 201910117114.7 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN110838543A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 林毓超;吴昭谊;陈佑昇;卡罗司·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露描述了用于图案化相变化记忆体层的技术。将氮氧化硅(SiON)层作为第一硬遮罩并将导电保护层作为第二硬遮罩来图案化相变化记忆体层。使用有机底部抗反射涂层来提高光刻精度。控制有机底部抗反射涂层和硬遮罩氮氧化硅(SiON)层之间的厚度比和硬遮罩氮氧化硅(SiON)层的蚀刻条件，使得图案化的有机底部抗反射涂层在图案化硬遮罩氮氧化硅(SiON)层的同时完全地或接近完全地分解。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 记忆体 方法 | ||
【主权项】：
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