[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

本公开涉及图像传感器及其制造方法。提供一种图像传感器，包括衬底，该衬底具有形成在衬底中的至少一个像素单元。每个像素单元包括浮置扩散结构，该浮置扩散结构包括：第一浮置扩散区，形成在衬底中邻近上表面处；第二浮置扩散区，形成在衬底中第一浮置扩散区的下方，并且与第一浮置扩散区物理地隔开，其中，衬底为第一掺杂类型，第一浮置扩散区和第二浮置扩散区为第二掺杂类型；以及控制部。该控制部包括：栅极，嵌入在衬底中并且从衬底的上表面起向下延伸；以及栅极电介质层，形成在衬底中并且围绕栅极的底壁和侧壁。其中，栅极经由栅极电介质层与第一浮置扩散区和第二浮置扩散区邻接，以用于控制第一浮置扩散区和第二浮置扩散区的连通和断开。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：衬底，具有形成在所述衬底中的至少一个像素单元，每个像素单元包括浮置扩散结构，所述浮置扩散结构包括：第一浮置扩散区，形成在所述衬底中邻近上表面处；第二浮置扩散区，形成在所述衬底中所述第一浮置扩散区的下方，并且与所述第一浮置扩散区物理地隔开，其中，所述衬底为第一掺杂类型，所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区为第二掺杂类型；以及控制部，包括：栅极，嵌入在所述衬底中并且从所述衬底的上表面起向下延伸，以及栅极电介质层，形成在所述衬底中并且围绕所述栅极的底壁和侧壁；其中，所述栅极经由所述栅极电介质层与所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区邻接，以用于控制所述第一浮置扩散区和所述第二浮置扩散区的连通和断开。