[发明专利]形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法

摘要

本发明涉及形成超高密度嵌入式半导体管芯封装的半导体器件和方法。半导体器件具有多个半导体管芯。第一预制绝缘膜被布置在半导体管芯上。在第一预制绝缘膜上形成导电层。在半导体管芯和第一预制绝缘膜上形成互连结构。在半导体管芯上层压第一预制绝缘膜。第一预制绝缘膜包括玻璃布料、玻璃纤维或玻璃填料。半导体管芯被嵌入第一预制绝缘膜内，其中第一预制绝缘膜覆盖半导体管芯的第一表面和侧表面。互连结构被形成在与第一表面相对的半导体管芯的第二表面上。在半导体管芯上布置第一预制绝缘膜之后，去除第一预制绝缘膜的一部分。在第一预制绝缘膜上布置第二预制绝缘膜。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供第一增强绝缘膜；在所述第一增强绝缘膜上设置导电层；与所述导电层相对在所述第一增强绝缘膜上设置层压层；提供半导体管芯；将所述半导体管芯设置在载体上；在所述载体和所述半导体管芯上设置所述第一增强绝缘膜、所述导电层和所述层压层，所述层压层在所述半导体管芯上连续延伸；将所述第一增强绝缘膜和所述层压层层压在所述半导体管芯和所述载体上；以及与导电层相对在所述半导体管芯和所述第一增强绝缘膜上形成互连结构。