[发明专利]磁阻式存储器结构有效
| 申请号： | 201910119591.7 | 申请日： | 2019-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111584539B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 吴奕廷;吴祯祥;杨伯钧;谢咏淨;郑宗昇;陈健中;王荏滺;黄正同 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁阻式存储器结构，其具有第一磁阻式存储器组包含一第一晶体管，第一晶体管包含一第一栅极结构、一第一源极/漏极区和一第一共同源极/漏极区，一第二晶体管包含一第二栅极结构、一第二源极/漏极区和第一共同源极/漏极区，一第二磁性隧穿结设置于第二晶体管之上，其中第一共同源极/漏极区电连接第二磁性隧穿结，一第一磁性隧穿结设置于第一晶体管之上，其中第一磁性隧穿结和第二磁性隧穿结的大小不同，第二磁性隧穿结串联第一磁性隧穿结，一位线电连接第一磁性隧穿结以及一源极线电连接第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 存储器 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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