[发明专利]自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习在审

专利信息
申请号: 201910119736.3 申请日: 2019-02-18
公开(公告)号: CN109830598A 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 陈惠鹏;刘亚倩;郭太良;钟建峰;李恩龙;杨辉煌;汪秀梅;赖登晓 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/40;H02N1/04
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福州市闽*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习,自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置;摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线;人工突触晶体管装置的漏电极为输出端;源电极和栅极为信号输入端;源电极、栅极分别与摩擦纳米发电机引出的供电导线相连;信号输入端接受的输入信号为摩擦纳米发电机产生的电压,该突触晶体管的输出信号为经漏电极读取的沟道电流;本发明自带供电模块,能实现基本的逻辑运算功能,并且每个自供电输入栅极都具有数字滤波功能。
搜索关键词: 突触 纳米发电机 自供电 晶体管 摩擦 晶体管装置 信号输入端 供电导线 源电极 触觉 制备 逻辑运算功能 读取 漏电 供电模块 沟道电流 输出信号 输入栅极 数字滤波 漏电极 输出端 下电极 电极 自带 学习
【主权项】:
1.自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法,其特征在于:所述自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置;所述摩擦纳米发电机包括下基板(100)、下电极(110)、介质层(120)、上电极(130)和上基板(140),所述下电极设于下基板上;所述介质层设于下电极上;所述上电极设于上基板上,上电极、下电极处均引出供电导线;所述人工突触晶体管装置包括衬底(150)、栅介质层(160)、有机半导体层(170)、源电极(190)和漏电极(180);所述栅介质层设于衬底上,所述有机半导体层设于栅介质层上,栅介质层处设有栅极电极,所述源电极和漏电极分别设于有机半导体层上的两端;所述人工突触晶体管装置的漏电极为输出端;源电极和栅极为信号输入端;源电极、栅极分别与摩擦纳米发电机引出的供电导线相连;信号输入端接受的输入信号为摩擦纳米发电机产生的电压,该突触晶体管的输出信号为经漏电极读取的沟道电流。
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