[发明专利]一种基于硅光热电效应的光电转换器及其制作方法

摘要

本发明涉及光电转换技术，具体涉及一种基于硅光热电效应的光电转换器及其制作方法，包括硅纳米结构、电极和衬底；硅纳米结构至少有一个维度的尺寸是1~300纳米，电极与硅纳米结构接触，硅纳米结构设置于衬底之上。硅的纳米结构可以抑制声子的散射过程，降低电子‑声子散射作用，产生同晶格温度脱耦的载流子温度，电学连通的电极同硅的纳米结构形成欧姆接触，以降低肖特基接触导致的光伏效应影响。通过硅纳米结构中光致热载流子的温度梯度来驱动光电响应，通过调控金属/硅电极接触势垒和硅的掺杂极性与浓度来强化光热电效应，通过光‑热‑电多物理场输运仿真，确认了基于硅纳米结构光热电效应的光电转换机制的存在。该转换器能有效提高光电转换效率。

主权项

1.一种基于硅光热电效应的光电转换器，其特征是，包括硅纳米结构、电极和衬底；硅纳米结构至少有一个维度的尺寸是1纳米～3百纳米，电极与硅纳米结构接触，硅纳米结构设置于衬底之上。